Академики избрали нового главу РАН

Выборы проводились по новым правилам: для избрания главы РАН требовалось большинство голосов. Экс-президент РАН Александр Сергеев накануне снял кандидатуру с выборов, назвав это решение вынужденным

Геннадий Красников

(Фото: Рамиль Ситдиков / РИА Новости)

Новым президентом Российской академии наук избран генеральный директор Научно-исследовательского института молекулярной электроники академик Геннадий Красников. Голосование состоялось во вторник на общем собрании членов академии. Президент избирается на пять лет открытым голосованием.

Незадолго до выборов в интервью «Коммерсанту» Красников заявлял о том, что РАН должна не только заниматься фундаментальными исследованиями, но и выстраивать взаимодействие с прикладной наукой и производителями.

«Наиболее перспективной формой интеграции академической, прикладной, вузовской науки и высокотехнологичного бизнеса должны стать консорциумы, включающие академические и прикладные НИИ, вузы, бизнес-структуры, а также инновационные предприятия, основанные на разработках академических институтов. <…> Для ускорения процессов передачи научных результатов в практический сектор и обеспечения экономической устойчивости консорциумы могут получать статус особых экономических зон», — отмечал Красников.

Новому главе РАН 64 года, первоначально он был одним из трех кандидатов, утвержденных правительством на пост руководителя академии. Двумя другими претендентами были 60-летний директор ФГБУН «Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН» академик Дмитрий Маркович и действующий президент РАН 67-летний Александр Сергеев.

Президиум академии предлагал четырех кандидатов для выборов на пост главы РАН, но правительство не согласовало кандидатуру научного руководителя Института океанологии Роберта Нигматулина, который на выборах в 2017 году прошел во второй тур с Сергеевым.

19 сентября Сергеев заявил, что снимает свою кандидатуру с выборов и назвал это решение вынужденным и принятым под давлением, а ученые РАН из неформального объединения «Клуб 1 июля» (членом которого является и сам Сергеев) заявили, что от участия в выборах «фактически были отстранены» два кандидата.

Красников после этого заявления вместе с академиком Дмитрием Марковичем обратился к членам РАН и указал, что клуб пытается спровоцировать нарушение устава и сорвать выборы президента РАН.

Сергеев занимал пост президента РАН с сентября 2017 года. До этого он занимал должность директора Федерального исследовательского центра Института прикладной физики.

Прошедшие выборы президента проводились по новым правилам: теперь для избрания главы РАН и других членов президиума требуется большинство голосов (раньше было нужно 2/3 голосов). Глава академии утверждается президентом России, а кандидаты на этот пост (как минимум два) должны быть согласованы с правительством.

Геннадий Красников родился 30 апреля 1958 года в Тамбове. Как следует из официальной биографии на сайте АО «НИИМЭ», в 1981 году он с отличием окончил физико-технический факультет Московского института электронной техники. В том же году пришел на работу в НИИ молекулярной электроники с опытным заводом «Микрон». В 1990 году по окончании аспирантуры МИЭТ успешно защитил кандидатскую диссертацию. В НИИ работал на всех должностях (инженер, ведущий инженер, начальник модуля, начальник цеха, заместитель главного инженера, заместитель генерального директора), в начале августа 1991 года был назначен директором института.

В 1996 году Красников защитил докторскую диссертацию, а в 1997 году был избран член-корреспондентом РАН по отделению информатики, вычислительной техники и автоматизации (вычислительная техника и элементная база). В 2008 году Красникова избрали академиком РАН по отделению нанотехнологий и информационных технологий (микро- и наноэлектроника). В 2017 году Красников стал членом президиума РАН.

С 2016 года Красников — генеральный директор АО «НИИМЭ», председатель совета директоров ПАО «Микрон» и председатель совета директоров АО «НИИТМ» (НИИ точной механики).

Красников занимался физикой полупроводников, диэлектриков и гетероструктур на их основе, технологий создания сверхбольших интегральных схем и обеспечения качества их разработки и промышленного производства. Является автором более 400 научных работ в отечественных и зарубежных рецензируемых изданиях, четырех научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов.

Лауреат государственной премии России в области науки и технологии (2014 год), трех премий правительства в области науки и техники (1999, 2009 и 2019 годы).